东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET，有助于汽车设备实现高散热和小型化

来源：华强电子网
时间：2023-08-17 23:17:54

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。两款产品于今日开始支持批量出货。

自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性，因此与标准系统相比，它们集成了更多的器件，需要更多的表贴空间。所以，要进一步缩小汽车设备的尺寸，需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。

(资料图)

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用东芝的新型S-TOGLTM封装（7.0mm×8.44mm[1]），其特点是采用无接线柱结构，将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。

与具有相同热阻特性的东芝TO-220SM（W）封装产品[2]相比，S-TOGLTM封装与东芝U-MOS IX-H工艺相结合，可实现导通电阻显著降低11%。与TO-220SM（W）封装相比，新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外，采用新型封装的产品可提供200A漏极额定电流，高于东芝类似尺寸的DPAK＋封装（6.5mm×9.5mm[1]）产品，从而实现了大电流。总体而言，S-TOGLTM封装可实现高密度和紧凑布局，缩小汽车设备的尺寸，并有助于实现高散热。

由于汽车设备可能在极端温度环境下工作，因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。S-TOGLTM封装采用鸥翼式引脚，可降低表贴应力，提高焊点的可靠性。

当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时，东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货[3]。这样可以确保设计使用同一组别的产品，从而减小特性偏差。

东芝将继续扩展其功率半导体产品线，并通过用户友好型、高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。

应用

- 汽车设备：逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等

特性

- 新型S-TOGLTM封装：7.0mm×8.44mm（典型值）

- 高额定漏极电流：

XPJR6604PB：ID＝200A

XPJ1R004PB：ID＝160A

- AEC-Q101认证

- 提供IATF 16949/PPAP[4]

- 低导通电阻：

XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53m?（典型值）（VGS＝10V）

XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8m?（典型值）（VGS＝10V）

主要规格

新产品		现有产品
器件型号				XPJR6604PB	XPJ1R004PB	TKR74F04PB	TK1R4S04PB
极性				N沟道
系列				U-MOSIX-H
封装	名称			S-TOGLTM		TO-220SM（W）	DPAK+
	尺寸（mm）		典型值	7.0×8.44，厚度＝2.3		10.0×13.0，厚度＝3.5	6.5×9.5，厚度＝2.3
绝对最大额定值	漏极-源极电压 VDSS（V）			40
	漏极电流（DC） ID（A）			200	160	250	120
	漏极电流（脉冲） IDP（A）			600	480	750	240
	结温 Tch（℃）			175
电气特性	漏极-源极导通电阻 RDS(ON)（mΩ）	VGS＝10V	最大值	0.66	1.0	0.74	1.35
	结壳热阻 Zth(ch-c)（℃/W）	Tc＝25℃	最大值	0.4	0.67	0.4	0.83